[发明专利]高压横向结二极管装置

摘要

一种横向结二极管装置(110)包含至少具有半导体表面的衬底(105)。耗尽型LDMOS装置(130)处于所述半导体表面中，所述耗尽型LDMOS装置包含源极(131)、漏极和栅极电介质(134)上方的栅极(133)、在所述栅极(133)下方的在所述源极(131)与所述漏极之间的沟道区(135)。漂移区(136a，136b，138)位于所述沟道区(135)与所述漏极之间。所述漏极还提供所述横向结二极管装置(110)的阴极。嵌入式二极管(120)包含第二阴极(121)和与所述装置(110)共用的阳极(122)。所述嵌入式二极管(120)是由隔离区隔离的结，所述隔离区包括位于所述阳极(122)与所述源极(131)之间的耦合到内埋层(124)的阱(123)。所述阳极(122)和隔离区直接连接到所述栅极(133)，且所述第二阴极(121)直接连接到所述源极(131)。