[发明专利]基于离子阱的多状态器件有效
| 申请号： | 201880070106.5 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111279467B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李宁;李允锡;J·德索萨;D·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体结构，其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括：位于栅极电介质材料上的阴极集电器，位于阴极集电器上的阴极材料，位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料，位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质，位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料，位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 状态 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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