[发明专利]减少静电放电电路中的噪声影响在审
| 申请号： | 201880070132.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111295753A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | B·L·埃米;S·E·冈萨雷斯迪亚斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种直接功率注入DPI电路(100)在耦合到静电放电ESD电路时减少所述ESD电路中的噪声影响。所述DPI电路(100)包含：NMOS晶体管(MN1)，其耦合于输出节点(104)与下部轨(GND)之间；及电荷泵(C1、D1、D2)，其耦合于输入节点(102)与所述NMOS晶体管(MN1)的栅极之间。电阻器(R1)耦合于所述NMOS晶体管(MN1)的所述栅极与所述下部轨(GND)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 静电 放电 电路 中的 噪声 影响 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
