[发明专利]用于制造多个半导体芯片的方法和半导体芯片在审

专利信息
申请号: 201880070150.6 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN111295745A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 托马斯·施瓦茨;卢茨·赫佩尔;托尔斯滕·弗兰克·鲍姆海因里奇;延斯·里克特 申请(专利权)人: 欧司朗OLED股份有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L25/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;支娜
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于制造多个半导体芯片(100)的方法,所述方法包括步骤A),其中提供半导体衬底(1),所述半导体衬底具有在半导体衬底(1)的上侧(10)上的多个集成的电子电路(2)。在步骤B)中将牺牲层(3)施加到半导体衬底的一侧上。在步骤C)中将孔(30)引入到牺牲层中,使得在每个电子电路之上产生至少一个孔。在步骤D)中将具有牺牲层的半导体衬底事先粘贴到载体(5)上,其中在牺牲层和载体之间使用粘接层(4)并且其中粘接层填充孔,使得在孔中产生由粘接层构成的保持元件(40)。在步骤E)中将半导体衬底打薄。在步骤F)中在电子电路之间引入分离沟槽(6),所述分离沟槽从电子电路的背离载体的侧延伸至牺牲层并且穿透打薄的半导体衬底。在步骤G)中在电子电路和载体之间的区域中移除牺牲层。
搜索关键词: 用于 制造 半导体 芯片 方法
【主权项】:
暂无信息
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