[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880070289.0 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111357086A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;神长正美;井口贵弘;岛行德;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。本发明采用包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、半导体层及第一导电层的结构。第二绝缘层位于第一绝缘层上，岛状半导体层位于第二绝缘层上。第二绝缘层具有其端部位于与半导体层重叠的区域的外侧的岛状形状。第四绝缘层覆盖第二绝缘层、半导体层、第三绝缘层及第一导电层，与半导体层的顶面的一部分接触并在第二绝缘层的端部的外侧与第一绝缘层接触。半导体层包含金属氧化物，第二绝缘层及第三绝缘层包含氧化物，第一绝缘层包含金属氧化物或氮化物，第四绝缘层包含金属氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
