[发明专利]嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法在审
| 申请号： | 201880070743.2 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN111655911A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | D.S.米斯拉 | 申请（专利权）人： | 二A科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C01B32/26;B01J8/02;C30B28/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王琳;邵长准 |
| 地址： | 新加坡新加坡市珠烈街6*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 生长嵌入式单晶金刚石结构的方法，其包括：将单晶金刚石置于非金刚石基底上，其中所述非金刚石基底大于单晶金刚石；使用遮蔽材料遮蔽单晶金刚石的顶部；并且使用化学气相沉积（CVD）生长室，围绕所述单晶金刚石生长多晶金刚石材料，从而使单晶金刚石与多晶金刚石材料接合。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 多晶 金刚石 结构 中的 一个 多个单晶 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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