[发明专利]用于减少共端子晶体管中的串扰的布局在审
| 申请号： | 201880070783.7 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111295754A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 维贾伊·克里希纳穆尔蒂;阿比迪尔·拉赫曼;褚民;苏阿尔普·阿拉斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 微电子器件(100)具有公共端子晶体管(104)，所述公共端子晶体管具有两个或更多个沟道(112，114)和在沟道(112，114)的相应区域中的感测晶体管(124，130)。沟道(112，114)和感测晶体管(124，130)共享半导体衬底(102)中的公共节点(106)。感测晶体管(124，130)被配置成用于提供表示通过对应沟道(112，114)的电流的感测电流。感测晶体管(124，130)被定位成使得沟道电流与对应的感测电流的比率具有小于目标值的串扰。形成微电子器件(100)的方法包括估计含公共端子晶体管(104)的公共节点(106)的半导体衬底(102)中的电位分布，和基于所估计的电位分布为感测晶体管(124，130)选择位置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 端子 晶体管 中的 布局 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880070783.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
