[发明专利]包括部分环绕选择栅极的三维存储器设备及其边缘场辅助编程有效
| 申请号： | 201880070787.5 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111373535B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张艳丽;张鹏;J·阿尔斯梅尔;Y·董 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/41;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种操作三维存储器设备的方法包括：向选择的漏极选择栅极电极施加目标串偏置电压，该选择的漏极选择栅极电极部分环绕与漏极选择隔离结构直接接触的一行存储器堆叠结构；以及向与漏极选择层级隔离结构接触的未选择的漏极选择栅极电极施加相邻串偏置电压，该相邻串偏置电压具有比目标串偏置电压大的量值。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 部分 环绕 选择 栅极 三维 存储器 设备 及其 边缘 辅助 编程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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