[发明专利]使用ALE蚀刻金属氧化物衬底以及选择性沉积在审
| 申请号： | 201880071476.0 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111373512A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 大卫·查尔斯·史密斯;理查德·怀斯;阿潘·马霍罗瓦拉;丹尼斯·M·豪斯曼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/027;H01L21/02;H01L21/67;G03F7/20;G03F1/80 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于处理金属氧化物膜方法和设备。所述方法包含：(a)将所述金属氧化物膜暴露于卤化硼反应物，并用第一偏置功率点燃第一等离子体以使所述金属氧化物膜的表面改性；以及(b)在第二偏置功率下将所述金属氧化物膜的所述经改性的表面暴露于第二等离子体，并持续足以在没有溅射的情况下移除所述经改性的表面的时间。方法还包含(c)将金属氧化物材料选择性沉积在所述金属氧化物膜上，以填充所述金属氧化物膜内的裂缝。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 ale 蚀刻 金属 氧化物 衬底 以及 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880071476.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
