[发明专利]用于三维存储器件的存储器开口和接触开口的同时形成有效
| 申请号： | 201880072574.6 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111316441B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | J·凯;崔志欣;M·查德赫里;J·阿尔斯梅尔;T·张;武贺光辉;雄戸井寿和;山口健介 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多个叠层结构被堆叠在衬底上方。每个叠层结构包括绝缘层与牺牲材料层的交替堆叠以及覆盖在该交替堆叠上的反台阶介电材料部分。在形成每个叠层结构期间同时形成多种类型的开口。穿过每个叠层结构同时形成的开口可以包括至少两种类型的开口，这些开口可以选自穿层存储器开口、穿层支撑开口和穿层阶梯区开口。每个穿层开口均填充有各自的穿层牺牲开口填充结构。可以分阶段去除穿层牺牲开口填充结构的堆叠以形成各种器件部件，这些器件部件包括存储器堆叠结构、支撑柱结构和阶梯区接触通孔结构。牺牲材料层被导电层代替，该导电层通过环形绝缘间隔物与阶梯区接触通孔结构横向电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储 器件 存储器 开口 接触 同时 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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