[发明专利]固态成像装置和电子装置在审
申请号: | 201880073769.2 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN111357112A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 伊藤干记;中本悠太;冈野智美;北林祐哉;田中隆;新井智幸;大谷奈津子 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G02B5/22;H04N5/369;H04N9/07 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明实施方式的固态成像装置包括:半导体衬底,其设置有光电转换元件;透镜,其设置在光电转换元件的第一光入射表面上方;以及多个柱状结构,其设置在平行于第一光入射表面的表面上,以便位于从透镜的第二光入射表面到光电转换元件的第一光入射表面的空间中,其中,所述柱状结构包含以下中的至少一种:硅、锗、磷化镓、氧化铝、氧化铈、氧化铪、氧化铟、氧化锡、五氧化二铌、氧化镁、五氧化二钽、五氧化二钛、氧化钛、氧化钨、氧化钇、氧化锌、氧化锆、氟化铈、氟化钆、氟化镧和氟化钕。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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