[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880074216.9 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111357116A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 松田时宜;高桥勋;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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