[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201880075372.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111373548A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 增茂邦雄;石桥奈央;中村伸宏;渡边晓;大越雄斗;宫川直通 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，具有源极、漏极、栅极、及半导体层；前述半导体层具有前述源极用的第1低电阻区域、和前述漏极用的第2低电阻区域；前述源极及前述漏极借助前述第1低电阻区域、前述半导体层、及前述第2低电阻区域进行电连接，前述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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