[发明专利]用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用其的半导体封装用绝缘层有效
| 申请号： | 201880075979.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111406312B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郑珉寿;庆有真;崔炳柱;郑遇载;李光珠;赵安部 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/482;H01L23/485;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵丹;尚光远 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用用于制造半导体封装用绝缘层的方法获得的半导体封装用绝缘层，其可以通过利用磁特性除去在半导体封装用绝缘层的制造期间在绝缘层中产生的孔来改善可靠性并且具有优异的耐热性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 封装 绝缘 方法 使用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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