[发明专利]隧穿场效应晶体管在审
| 申请号： | 201880076199.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112292762A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 加藤公彦;高木信一;竹中充;田畑仁;松井裕章 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 桑传标 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开实施方式的隧穿场效应晶体管包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，其在第一区域中与第一半导体层实现异质结；栅极绝缘层，其在第一区域中覆盖第二半导体层；栅极电极层，其覆盖栅极绝缘层；第一电极层，其与第一半导体层电连接；第二电极层，其与第二半导体层电连接；和第一绝缘层，其在第二电极层侧与第一区域相邻的第二区域中被夹在第一半导体层与第二半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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