[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880076538.7 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN111433910B 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 小川翔平;藤野纯司;石川悟;重本拓巳;石山祐介 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;B23K1/00;B23K1/005;B23K35/26;C22C13/00;H01L21/52;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 李今子
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 具备:绝缘基板(1),陶瓷基材(1b)和冷却用翼片(1a)成为一体;板状的布线部件(5);以及半导体元件(3a),一面经由芯片下焊料(4)接合到绝缘基板(1)的陶瓷基材(1b)侧,另一面以使多个板状的布线部件(5)分别对应的方式经由芯片上焊料(6)接合到多个板状的布线部件(5),芯片下焊料(4)以及芯片上焊料(6)都包含0.3wt%以上且3wt%以下Ag、包含0.5wt%以上且1wt%以下Cu、以Sn为主成分,不会损害散热性而实现小型化。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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