[发明专利]高电容可调多层电容器和阵列有效
申请号: | 201880077505.4 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN111433870B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | C.W.尼斯;A.P.里特;R.C.范阿尔斯汀 | 申请(专利权)人: | 京瓷AVX元器件公司 |
主分类号: | H01G5/019 | 分类号: | H01G5/019;H01G4/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种可调多层电容器阵列。该可调多层电容器包括并联连接的多个可调多层电容器。该可调多层电容器在大于约10伏的工作电压下具有大于约0.1微法的初始电容值。该可调多层电容器配置为通过向可调多层电容器阵列施加DC偏置电压而具有可调电容。 | ||
搜索关键词: | 电容 可调 多层 电容器 阵列 | ||
【主权项】:
暂无信息
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