[发明专利]电阻式随机访问存储器和制作技术在审
申请号: | 201880077559.0 | 申请日: | 2018-10-01 |
公开(公告)号: | CN111418078A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | S·乔;S·纳拉亚南;Z·顾 | 申请(专利权)人: | 科洛斯巴股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种自对准存储器装置,包含设置在绝缘层内并具有共平面型顶部表面的导电性底部插塞、设置在该共平面型顶部表面上并具有在50埃至200埃的范围内的厚度的自对准平面型底部电极、设置在该自对准平面型底部电极上的平面型切换材料层、设置在该平面型切换材料层上的平面型活性金属材料层、以及设置在该平面型活性金属材料层之上的平面型顶部电极,其中,该自对准平面型底部电极、该平面型切换材料层、该平面型活性金属材料层和该平面型顶部电极形成柱状结构在该绝缘层之上。 | ||
搜索关键词: | 电阻 随机 访问 存储器 制作 技术 | ||
【主权项】:
暂无信息
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