[发明专利]在单次光刻曝光通过过程中形成多个空间图像在审
申请号: | 201880077675.2 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN111433674A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | W·E·康利;J·J·索内斯;G·A·瑞克斯泰纳 | 申请(专利权)人: | 西默有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在单次曝光通过过程期间,使光束中的光脉冲的集合朝向晶片穿过掩模;在单次曝光通过过程期间,基于脉冲的集合中的穿过掩模的光脉冲来在晶片上生成至少第一空间图像和第二空间图像,第一空间图像在晶片上的第一平面处并且第二空间图像在晶片上的第二平面处,第一平面和第二平面在空间上彼此不同并且沿着传播方向以分离距离彼此分离;以及形成三维半导体组件。 | ||
搜索关键词: | 光刻 曝光 通过 过程 形成 空间 图像 | ||
【主权项】:
暂无信息
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