[发明专利]存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构有效
| 申请号： | 201880078139.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111788684B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 索尼·瓦吉斯;安东尼·雷诺;摩根·艾文斯;约翰·哈塔拉;约瑟·欧尔森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 制作 半导体 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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