[发明专利]使用各向同性和各向异性蚀刻工艺制造集成电路的方法在审
| 申请号： | 201880078588.9 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111433925A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | S·A·德什庞德;J·斯劳特;聪海;杨韵武;N·蒂亚加拉贾;叶舒恺 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造磁阻设备的方法，包括：使用第一蚀刻工艺蚀刻磁阻堆叠以形成一个或多个侧壁；以及在形成所述一个或多个侧壁之后，使用第二蚀刻工艺来蚀刻叠层。其中，第二蚀刻工艺可以比第一蚀刻工艺相对更各向同性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 各向同性 各向异性 蚀刻 工艺 制造 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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