[发明专利]场效应晶体管组件以及用于调整场效应晶体管的漏极电流的方法在审
| 申请号： | 201880079339.1 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111466079A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | R·施尼策尔;T·施瓦岑贝格尔;G·特雷特 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提出一种场效应晶体管组件(1)，该场效应晶体管组件包括场效应晶体管(T)，所述场效应晶体管具有能借助背栅电压(V |
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| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 组件 以及 用于 调整 电流 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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