[发明专利]半导体集成电路装置在审
| 申请号： | 201880079494.3 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111466020A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 岩堀淳司 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩丁 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种采用了垂直纳米线FET(VNW FET)的标准单元的版图构造。在电源布线(VDD)与电源布线(VSS)之间，设有形成有VNW FET的P型晶体管区域(Pch)和形成有VNW FET的N型晶体管区域(Nch)。局部布线(37)布置为从P型晶体管区域(Pch)延伸到N型晶体管区域(Nch)。虚设VNW FET即晶体管(P3、N3)的顶部电极与局部布线(37)相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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