[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置有效
| 申请号： | 201880079668.6 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111480239B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 日野史郎;永久雄一;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在内置有肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域进行双极型通电而耐压下降。在本发明中，在内置有肖特基二极管的SiC－MOSFET中，使形成于终端部的第2阱区域与源极电极非欧姆连接，在形成于隔着栅极绝缘膜而与栅极电极对置的区域的第2阱区域的表层部形成杂质浓度比第2阱区域低的电场缓和层。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 以及 电力 变换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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