[发明专利]垂直晶体管的自对准底部间隔物的形成有效
| 申请号： | 201880081159.7 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111480238B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李忠贤;望月省吾;鲍如强;H.贾甘纳坦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成鳍片。在鳍片相对侧上的衬底上布置源极/漏极区域。该方法包括在源极/漏极区域上沉积半导体层。该方法包括在鳍片和半导体层上沉积含锗层。该方法还包括施加退火操作，该退火操作被配置为使半导体层与含锗层化学反应并形成氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 对准 底部 间隔 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880081159.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有多个接合部段的顺应销
- 下一篇：弹性波装置
- 同类专利
- 专利分类
