[发明专利]被配置用于行和列转置访问操作的转置非易失性(NV)存储器(NVM)位单元和相关数据阵列在审
| 申请号： | 201880081309.4 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111512375A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李夏 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/10;G11C8/16;G11C11/22;G11C13/00;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 被配置用于存储器行和列转置访问操作的转置非易失性(NV)存储器(NVM)位单元和相关数据阵列。在转置NVM数据阵列中多个转置NVM位单元可以以存储器行和列进行布置。为了促进行读取操作，转置NVM位单元包括耦合到字线的第一存取晶体管。向字线施加激活电压以激活第一存取晶体管以在行读取操作中读取存储在NVM单元电路中的存储器状态。为了促进列转置读取操作，转置NVM位单元包括耦合到转置字线的第二存取晶体管。向转置字线施加激活电压以激活第二存取晶体管以在列转置读取操作中读取存储在NVM单元电路中的存储器状态。 | ||
| 搜索关键词： | 配置 用于 列转置 访问 操作 转置非易失性 nv 存储器 nvm 单元 相关 数据 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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