[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880081313.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111602253A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 肥塚纯一;生内俊光;神长正美;黑崎大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/477 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一绝缘层及第一导电层。半导体层具有岛状的顶面形状。第一绝缘层以与半导体层的顶面及侧面接触的方式设置。第一导电层位于第一绝缘层上并具有与半导体层重叠的部分。另外，半导体层包含金属氧化物，第一绝缘层包含氧化物。半导体层具有与第一导电层重叠的第一区域以及不与第一导电层重叠的第二区域。第一绝缘层具有与第一导电层重叠的第三区域以及不与第一导电层重叠的第四区域。另外，第二区域及第四区域包含磷或硼。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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