[发明专利]多区气体分配系统及方法在审
| 申请号： | 201880081789.4 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111492469A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | S·辛格;K·D·沙茨;A·曹;M·威杰库恩;K·基欧希斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术包含改进的气体分配设计，以在半导体处理操作期间形成均匀的等离子体，或用于处理半导体处理腔室的内部。虽然传统气体分配组件可接收随后被分配进入等离子体区域中的特定反应物或反应物比例，本文所述技术允许对反应物输入分配的改进的控制。技术允许使反应剂分开流入等离子体的不同区域，以抵销所观察到的工艺均匀度中的任何异常。可将第一前驱物传递至在基板/底座中心上方的等离子体中心，同时可将第二前驱物传递至在基板/底座外部部分上方的等离子体外部部分。藉此，位于底座上的基板可经历跨整个表面的更均匀的蚀刻或沉积轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 分配 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880081789.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板检查装置
- 下一篇：粘合剂组合物、双面粘合片及层叠体的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
