[发明专利]第III族氮化物半导体基板的制备方法在审
| 申请号： | 201880082554.7 | 申请日： | 2018-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN111527587A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 松本光二;小野敏昭;天野浩;本田善央 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，当在Si基板上通过AlN缓冲层使第III族氮化物半导体层生长时抑制第III族原料向Si基板中的扩散。本发明的解决手段在于，第III族氮化物半导体基板的制备方法，所述制备方法具备：在Si基板(10)上使第一AlN缓冲层(21)生长的工序(S12A)、在第一AlN缓冲层(21)上在比第一AlN缓冲层(21)的生长温度高的温度下使第二AlN缓冲层(22)生长的工序(S12B)、和在第二AlN缓冲层(22)上使第III族氮化物半导体层(30)生长的工序(S13)。第一AlN缓冲层(21)的生长温度为400~600℃。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
