[发明专利]用于制造半导体器件和切割道的方法在审
| 申请号： | 201880082710.X | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111511675A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 米卡尔·科林;奥黛莉·伯舍乐 | 申请（专利权）人： | 赛峰集团 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/78;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 寇毛;李雪 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底(102)中制造半导体器件(100)的方法，该方法包括：‑将中间掩模的图案光刻到衬底的一部分上，该中间掩模的图案限定半导体器件的第一元件，多次重复对图案的曝光以限定所有器件；‑在所有衬底上对蚀刻掩模的图案进行光刻；‑将光刻图案蚀刻到衬底厚度的一部分中，其中，环绕器件的第一切割道(130)被包含在蚀刻掩模和/或中间掩模的图案中，并且对蚀刻掩模进行光刻限定了第二切割道(140)，第二切割道由衬底(102)的边缘的预定断裂线限定，并且该方法进一步包括通过第一切割道和第二切割道用激光束照射衬底的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 切割 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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