[发明专利]用于低温堆叠晶体管接触部的顶部NMOS晶体管中的III-V源极/漏极在审
| 申请号： | 201880083454.6 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111492478A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | G.德维;R.皮拉里塞蒂;A.D.利拉克;W.拉赫马迪;R.梅汉德鲁;全箕玟;A.范;H.J.俞;P.莫罗;黄政颖;M.V.梅茨;J.T.卡瓦利罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路结构包括下部器件层，所述下部器件层包括第一结构，所述第一结构包括多个PMOS晶体管。在下部器件层上形成上部器件层，其中上部器件层包括第二结构，所述第二结构包括具有III‑V族材料源极/漏极区的多个NMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 堆叠 晶体管 接触 顶部 nmos 中的 iii 源极 漏极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
