[发明专利]极性经调节的存储器单元写入操作有效
| 申请号： | 201880083539.4 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111527548B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王虹美;L·克雷斯皮;D·马哈拉那比斯;F·佩里兹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案是针对极性经调节的存储器单元写入操作。可通过执行写入操作向存储器单元写入逻辑状态，所述写入操作包含：跨所述存储器单元施加具有第一极性的第一写入电压，并且在施加所述写入操作的所述第一写入电压之后，跨所述存储器单元施加第二写入电压，所述写入操作的所述第二写入电压具有不同于所述第一极性的第二极性。在一些实例中，与具有单个极性的电压的写入操作相比，在存储器单元上执行跨所述存储器单元具有不同电压极性的写入操作可允许在较短时间内完成这类写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 调节 存储器 单元 写入 操作 | ||
【主权项】：
暂无信息
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