[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880083706.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111542917A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 川岛宽之 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 瓮芳;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [问题]为了在保持机械强度和可靠性的同时减小半导体装置的布线间电容。[解决方案]一种半导体装置，其包括：多层布线层，在所述多层布线层中，多个层间膜和多个扩散防止膜交替地堆叠，并且在所述层间膜的内部形成有布线；接触过孔，所述接触过孔被形成为贯穿过孔绝缘层，并且被电连接至所述多层布线层的所述布线，所述过孔绝缘层被形成在所述多层布线层的一个表面上；通孔，所述通孔被形成为从所述多层布线层的与所述多层布线层的所述一个表面相反的一侧的另一表面贯穿所述层间膜和所述扩散防止膜中的至少一者；以及空隙，所述空隙被连接至所述通孔，并且被形成在至少一个所述层间膜中以露出所述接触过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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