[发明专利]研磨用组合物在审
| 申请号： | 201880084023.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111527589A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 杉田规章;松下隆幸 | 申请（专利权）人： | 霓达杜邦股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 戴彬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种可进一步降低研磨后的半导体晶片的微小缺陷及雾度的研磨用组合物。研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、和具有下述通式(1)所表示的1，2‑二醇结构单元的乙烯醇系树脂，乙烯醇系树脂中，下述通式(2)所表示的结构单元的摩尔浓度在全部结构单元中为2摩尔％以上。其中，R |
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| 搜索关键词： | 研磨 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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