[发明专利]等离子体处理设备和方法有效
| 申请号： | 201880084092.2 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111527583B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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