[发明专利]供体基底剩余物制备方法、由该方法生产的基底及其用途有效
| 申请号： | 201880084235.X | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111527584B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | C·德拉泽克;D·贝尔哈切米 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 相迎军;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备供体基底的剩余物的方法，已经通过在通过离子注入而弱化的平面中分层来从供体基底去除层，该剩余物在主面上包括环形台阶，该环形台阶对应于供体基底的未去除部分，并且该方法包括：在剩余物的主面上沉积平滑氧化物，以便填充由环形台阶限定的内部空间并覆盖环形台阶的至少一部分；以及进行热处理以使平滑氧化物致密化。本发明还涉及通过所述方法生产的基底以及所述基底的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 供体 基底 剩余物 制备 方法 生产 及其 用途 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
