[发明专利]用于光电装置的伪衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201880084400.1 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111527607B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 伊万-克里斯多夫·罗宾;杰罗姆·纳皮尔拉 | 申请（专利权）人： | 艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于光电装置(100)的伪衬底(10)，该伪衬底(10)适于生长发光二极管(11、12、13)，包括衬底(1)和形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上的缓冲结构(2)。所述缓冲结构(2)包括至少一个第一部分(21)，其中由固态氮化镓(GaN)制成的层(211)限定至少一个背向所述衬底(1)的上表面(1a)的第一类型的自由表面(210)，每个自由表面都适于在其上生长主要基于III‑V族化合物的能够发射第一波长的光(L1)的发光二极管(11)。所述缓冲结构(2)包括至少一个第二部分(22)，其中铟和氮化镓(InGaN)层和GaN中间层交替并且其中铟以第一重量比例存在的叠层(221)限定至少一个背向所述衬底(1)的上表面(1a)的第二类型的自由表面(220)，每个第二类型的自由表面(220)都适于在其上生长主要基于III‑V族化合物的能够发射不同于所述第一波长的第二波长的光(L2)的发光二极管(12)。所述缓冲结构(2)的所述第二部分(22)在平行于所述衬底(1)的上表面(1a)的平面定向的总体平面(P)上相对于所述缓冲结构(2)的所述第一部分(21)偏移。本发明还描述了一种光电装置(100)和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电 装置 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利迪公司，未经艾利迪公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880084400.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
