[发明专利]用于生长过渡金属二硫属化物层的方法、生长装置以及用于形成半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201880084982.3 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111542641B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 邱铭晖;汤皓玲;李连忠 | 申请（专利权）人： | 阿卜杜拉国王科技大学 |
| 主分类号： | C23C8/06 | 分类号： | C23C8/06;C23C14/04;C23C14/06;C23C16/04;C23C16/30;H01L21/02;C23C16/40;C23C8/08 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 王春伟;刘继富 |
| 地址： | 沙特阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于生长过渡金属二硫属化物层的方法，其涉及将具有第一含过渡金属的垫块的基材布置在化学气相沉积室中。在化学气相沉积室中，将含硫属元素的前体布置在基材的上游。加热化学气相沉积室一段时间，在此期间，在与第一含过渡金属的垫块相邻的区域中形成过渡金属二硫属化物层，其包含来自第一含过渡金属的垫块的过渡金属和来自含硫属元素的前体的硫属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 过渡 金属 二硫属化物层 方法 装置 以及 形成 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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