[发明专利]蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法在审
| 申请号： | 201880084984.2 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111566786A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | A·B·穆里克;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;S·S·罗伊;Y·饶;R·弗里德;U·米特拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/306;H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 金属 氧化物 残留物 较少 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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