[发明专利]低纵横比压敏电阻有效

专利信息
申请号: 201880085168.3 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN111542900B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: M.柯克;M.贝罗利尼;P.拉文德拉纳坦 申请(专利权)人: 京瓷AVX元器件公司
主分类号: H01C7/10 分类号: H01C7/10;H01C1/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王冉
地址: 美国南卡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种低纵横比压敏电阻。压敏电阻可以具有矩形构造,其限定在宽度方向上偏移的第一和第二相对侧表面以及在长度方向上偏移的第一和第二相对端表面。压敏电阻可以包括第一电极层,该第一电极层包括第一电极,该第一电极具有在长度方向上的电极长度和在宽度方向上的电极宽度。压敏电阻还可以包括第二电极层,该第二电极层包括第二电极,该第二电极具有在长度方向上的电极长度和在宽度方向上的电极宽度。压敏电阻还可包括分别与第一和第二相对端表面相邻并连接的第一和第二端子。第一或第二电极中的至少一个可具有小于约1的电极纵横比。
搜索关键词: 纵横 压敏电阻
【主权项】:
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