[发明专利]用于薄膜晶体管的高k栅极绝缘体在审
| 申请号： | 201880085213.5 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111557051A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 翟羽佳;芮祥新;赵来;任东吉;崔寿永 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式总体涉及一种层堆叠，所述层堆叠包括电介质层，所述电介质层具有高k值，能够改善半导体显示装置电气性能。在一个实施方式中，所述层堆叠包括基板、设置在所述基板上的沟道层、和栅极绝缘层。所述栅极绝缘层包括设置在所述沟道层上的界面层和设置在所述界面层上的二氧化锆层。所述栅极绝缘层具有范围为从约20至约50的k值。所述栅极绝缘层的所述高k值减小导致较高的能量势垒(energy barrier)的亚阈值摆幅(subthreshold swing,SS)，这缓解了显示装置中的短沟道效应(short channel effect)和泄漏(leakage)。另外，所述栅极绝缘层的所述高k值允许较快的驱动电流，这改善了显示装置的亮度和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜晶体管 栅极 绝缘体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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