[发明专利]具有堆叠栅极的半导体器件及其制造方法

摘要

本公开内容的各方面提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在衬底上的第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管包括第一栅极；沿基本上垂直于衬底的方向堆叠在第一FET上的第二FET，该第二FET包括第二栅极。该半导体器件还包括第一布线轨线和与第一布线轨线电隔离的第二布线轨线。第一布线轨线和第二布线轨线中的每一个设置在沿所述方向堆叠在第二FET上的布线平面上。该半导体器件还包括：第一导电迹线，其被配置成将第一FET的第一栅极导电地耦接至第一布线轨线；以及第二导电迹线，其被配置成将第二FET的第二栅极导电地耦接至第二布线轨线。