[发明专利]包括堆叠的半导体芯片的CMOS图像传感器和包括超晶格的读出电路系统及相关方法在审

专利信息
申请号: 201880085300.0 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN111542925A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 陈仪安;A·胡萨因;武内英树 申请(专利权)人: 阿托梅拉公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: CMOS图像传感器可以包括第一半导体芯片和第二半导体芯片,其中第一半导体芯片包括图像传感器像素的阵列和电连接到它的读出电路系统,第二半导体芯片在堆叠中耦合到第一半导体芯片并且包括电连接到读出电路系统的图像处理电路系统。读出电路系统可以包括多个晶体管,每个晶体管包括间隔开的源极区域和漏极区域、在源极区域和漏极区域之间延伸的超晶格沟道,以及包括在超晶格沟道上的栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅极电极的栅极。
搜索关键词: 包括 堆叠 半导体 芯片 cmos 图像传感器 晶格 读出 电路 系统 相关 方法
【主权项】:
暂无信息
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