[发明专利]包括堆叠的半导体芯片的CMOS图像传感器和包括超晶格的读出电路系统及相关方法在审
申请号: | 201880085300.0 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111542925A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 陈仪安;A·胡萨因;武内英树 | 申请(专利权)人: | 阿托梅拉公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | CMOS图像传感器可以包括第一半导体芯片和第二半导体芯片,其中第一半导体芯片包括图像传感器像素的阵列和电连接到它的读出电路系统,第二半导体芯片在堆叠中耦合到第一半导体芯片并且包括电连接到读出电路系统的图像处理电路系统。读出电路系统可以包括多个晶体管,每个晶体管包括间隔开的源极区域和漏极区域、在源极区域和漏极区域之间延伸的超晶格沟道,以及包括在超晶格沟道上的栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅极电极的栅极。 | ||
搜索关键词: | 包括 堆叠 半导体 芯片 cmos 图像传感器 晶格 读出 电路 系统 相关 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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