[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880086522.4 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111602233B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平;西村英树 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K1/00;H01L21/52;H01L23/48;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法包括：组装体形成工序，在电极24与电极连接片32之间配置焊锡材料44，焊锡材料44具有被配置于电极24的表面且含有助焊剂的第一焊锡材料层41、被配置于电极连接片32的表面且含有助焊剂的第二焊锡材料层42、以及被配置于第一焊锡材料层41与第二焊锡材料层42之间的且不含有助焊剂的第三焊锡材料层43相叠层后的构造，并且，组装体形成工序形成配置有基板10、半导体芯片20以及引线30的组装体50，使得电极24与电极连接片32成为夹着焊锡材料44的相向状态；以及接合工序，将电极24与电极连接片32经由焊锡40进行接合。根据本发明的半导体装置的制造方法，能够制造可靠性不易下降的半导体装置，并且能够防止接合工序变得繁杂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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