[发明专利]对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制在审
| 申请号： | 201880086817.1 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111788655A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | D·肖;K·费尔贝恩;D·卡特 | 申请（专利权）人： | 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于等离子体处理的系统和方法。一种示例性系统可以包括等离子体处理室，其包括在该处理室中产生等离子体的源以及布置在该等离子体处理室内的至少两个偏置电极，所述至少两个偏置电极用于控制接近所述偏置电极的等离子体鞘层。卡盘被设置为支撑衬底，并且源生成器耦合至等离子体电极。至少一个偏置电源耦合至所述至少两个偏置电极，并且控制器被包括为控制所述至少一个偏置电源，以控制接近偏置电极的等离子体鞘层。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 离子 偏置 电压 空间 时间 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进工程解决方案全球控股私人有限公司，未经先进工程解决方案全球控股私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880086817.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
