[发明专利]半导体装置的制造方法、膜状粘接剂及粘接片材有效
| 申请号： | 201880087159.8 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111630640B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 菊地健太;中村祐树;桥本慎太郎;山崎智阳;舛野大辅 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;C09J7/10;C09J7/30;C09J7/20;C09J11/04;C09J163/00;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明为一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：通过第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一安装工序；在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴膜状粘接剂的层压工序；以及通过将粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置来安装膜状粘接剂，从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二安装工序，膜状粘接剂在频率为79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度为300Pa·s以下，且当将在频率为0.1Hz、1.0Hz、10.0Hz及79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度设为Y(Pa·s)、将频率设为X(Hz)、对X与Y的关系进行幂近似处理而用Y＝aX |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 膜状粘接剂 粘接片材 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
