[发明专利]单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法有效
| 申请号： | 201880087282.X | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111630213B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 贵堂高德;长屋正武;鹰羽秀隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;B24B7/22;C30B23/00;C30B33/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的单晶4H‑SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H‑SiC生长用籽晶，生长单晶4H‑SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | sic 生长 籽晶 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社;株式会社电装，未经昭和电工株式会社;株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880087282.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于动物营养的尿素补充剂
- 下一篇：颜色误差校正的分段式LED阵列
