[发明专利]用于可见光和紫外光检测的半导体光学传感器及其对应的制造过程在审
| 申请号： | 201880088528.5 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111712921A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚·德尔蒙特 | 申请（专利权）人： | 拉芳德利责任有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体光学传感器(1)设置有：衬底(2)，集成有多个光电检测器有源区域(4)；以及CMOS层堆叠(6)，布置在衬底(2)上并且包括多个介电(6a)层和导电(6b)层。UV转换区域(10)布置在多个第一光电检测器有源区域(4)上方，以将UV光辐射转换为朝向第一光电检测器有源区域(4)的可见光辐射，使得第一光电检测器有源区域(4)被设计为检测UV光辐射。特别地，在光学传感器(1)的光电检测单元(16)的阵列(15)中，第一光电检测器有源区域(4)与被设计为检测可见光辐射的多个第二光电检测器有源区域(4)交替，从而限定以相同空间分辨率对UV光辐射和可见光辐射两者敏感的单个图像检测区域(15’)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可见 光和 紫外光 检测 半导体 光学 传感器 及其 对应 制造 过程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
