[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201880089106.X | 申请日： | 2018-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111699558B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 富永贵亮;福井裕 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 漂移层(10)以及源极区域(8)具有第1导电类型。基极区域(7)具有第2导电类型。第1沟槽(12)贯通源极区域(8)以及基极区域(7)。栅极电极(1)隔着栅极绝缘膜(2)设置于第1沟槽(12)内。第1缓和区域(3)配置于第1沟槽(12)的下方，具有第2导电类型。源极焊盘电极(4)与第1缓和区域(3)电连接。栅极焊盘电极(14)配置于非元件区域(RN)。杂质区域(108)配置于非元件区域(RN)，设置于漂移层(10)上，具有第1导电类型。第2沟槽(112)贯通杂质区域(108)。第2缓和区域(103)配置于第2沟槽(112)的下方，具有第2导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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