[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880089952.1 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111771256B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社菲尔尼克斯 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京八王子市别*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于通过将半导体磊晶层接合于其他基板而使制造半导体元件的方法效率化。本发明的半导体元件的制造方法包括：形成作为薄膜的固定层的步骤，所述固定层将半导体薄膜层的与母材基板一侧为相反侧的主面的至少一部分与母材基板中的半导体薄膜层一侧的面的至少一部分结合；通过将半导体薄膜层或母材基板的一部分区域去除而形成空隙的步骤；在形成空隙后，在半导体薄膜层的主面将形成于拾取基板的有机材料层与固定层结合的步骤；在有机材料层结合于固定层的状态下将拾取基板沿与母材基板相离的方向移动，由此将半导体薄膜层自第一基板分离的步骤；以及将自母材基板分离后的半导体薄膜层接合于第二基板的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社菲尔尼克斯，未经株式会社菲尔尼克斯许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880089952.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：转向控制装置和转向装置
- 下一篇：用于支持和影响QoS等级的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
